投稿须知
  《光学学报》由中国科学技术协会主管,中国科学院上海光学精密机械研究所和中国光学学会主办,创刊于1981年,是中国激光杂志社出版的学术类半月刊,反映 ...

电荷耦合器件硅基底辐照光场研究

作者: 高刘正 赵民伟 张威 李颖    中国酒泉卫星发射中心 甘肃酒泉735000

关键词: 激光技术 脉冲激光 电荷耦合器件 光场 折射定律 菲涅耳公式

摘要:对电荷耦合器件(CCD)硅基底的光照能量分布进行了建模分析和实验研究。使用原子力显微镜和扫描电子显微镜获取了CCD的关键光学参数,即微透镜表面函数和二氧化硅增厚层厚度。模拟了垂直入射平面光在硅基底表面的能量分布,并与飞秒激光辐照损伤CCD的实验图像进行了比对,二者吻合良好。研究结果表明,微透镜与二氧化硅增厚层的共同作用使得激光能量几乎完全辐照在感光区,激光能量呈哑铃形分布。


上一篇:激光诱导击穿光谱直接测量颗粒流的粒径效应及其修正方法研究
下一篇:Nd:YAG板条激光器边缘畸变抑制

    版权所有:中国光学学会 沪ICP备05015387号-8  
    地址:北京市海淀区学院南路86号中国科协综合业务楼201室
    邮箱:guangxuexb@163.com