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单腔原子芯片系统中高效率的四极磁阱转移

作者: 程俊 许忻平 张敬芳 陈钰水 张海潮 王育竹    中国科学院上海光学精密机械研究所量子光学重点实验室 上海201800 中国科学院大学 北京100049

关键词: 原子与分子物理学 原子芯片 磁阱输运 三维打印 单腔系统

摘要:利用两对部分重叠的磁光阱(MOT)和转移线圈产生的可移动四极磁阱(QMT)实现了87Rb冷原子从MOT中心向原子芯片的高效率输运。采取了线性增加转移线圈电流、同时保持MOT线圈电流不变的QMT移动方式,磁阱的移动速度构型为类Blackman型。利用该QMT输运方案,冷原子从MOT中心转移到原子芯片表面,转移过程中冷原子温度升高约30μK,原子转移效率高于90%。该系统可以为原子芯片干涉仪提供合适的冷原子源,也可以用来研究原子与芯片表面的相互作用。


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